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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
11.7
17.8
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3337
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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