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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
139
左右 81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
139
读取速度,GB/s
13.8
14.4
写入速度,GB/s
8.4
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1152
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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