RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
139
Около 81% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
139
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1152
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link