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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
11.7
18.5
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3676
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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