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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
66
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
66
读取速度,GB/s
9.8
16.4
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1737
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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