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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
11.7
14.6
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2560
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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