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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
52
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
39
读取速度,GB/s
9.9
13.0
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2808
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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