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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
52
左右 -206% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
17
读取速度,GB/s
9.9
22.0
写入速度,GB/s
8.2
16.4
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3704
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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