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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
9.9
17.4
写入速度,GB/s
8.2
11.5
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2876
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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