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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
58
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
58
读取速度,GB/s
9.9
18.5
写入速度,GB/s
8.2
9.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
1998
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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