SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

Gesamtnote
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    52 left arrow 58
    Rund um 10% geringere Latenzzeit
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.5 left arrow 9.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 14900
    Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 58
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.9 left arrow 18.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2285 left arrow 1998
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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