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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
68
Rund um -119% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
no data
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3043
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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