Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 68
    Rund um -119% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 1,702.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,886.6 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,702.6 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow no data
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    654 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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