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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 16.9
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 68
    En -119% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 1,702.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    68 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,886.6 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,702.6 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    654 left arrow 3043

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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Memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Memoria RAM
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