RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
68
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,702.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
no data
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3043
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link