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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16.9
    Valor médio nos testes
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 68
    Por volta de -119% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 1,702.6
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    68 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,886.6 left arrow 16.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,702.6 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow no data
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    654 left arrow 3043

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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