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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
12.3
12.9
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2846
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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