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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3779
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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