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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3258
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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