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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3634
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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