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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
12.3
17.1
写入速度,GB/s
7.8
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3409
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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