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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.3
24.1
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
4001
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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