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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
12.3
14.1
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2215
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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