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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
69
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
69
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
7.8
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1992
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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