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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Kingston XK2M26-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
44
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
39
读取速度,GB/s
12.3
14.0
写入速度,GB/s
7.8
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2297
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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