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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
12.3
10.4
写入速度,GB/s
7.8
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2297
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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