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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
12.3
17.1
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2922
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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