RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
57
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
57
读取速度,GB/s
11.3
9.5
写入速度,GB/s
5.9
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1605
2213
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link