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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
比较
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
总分
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
14.0
13.5
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2186
2689
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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