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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,018.7
18.3
写入速度,GB/s
1,711.1
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3956
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RAM 2
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0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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