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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
65
左右 -210% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
20.0
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
21
读取速度,GB/s
4,018.7
20.6
写入速度,GB/s
1,711.1
20.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
4170
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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