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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
4,018.7
17.5
写入速度,GB/s
1,711.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3083
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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