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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
46
读取速度,GB/s
15.4
11.6
写入速度,GB/s
11.6
9.1
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2786
2571
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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