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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,018.7
15.0
写入速度,GB/s
1,711.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2672
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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