RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2672
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link