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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
65
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
44
读取速度,GB/s
4,018.7
10.6
写入速度,GB/s
1,711.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2374
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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