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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
65
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
43
读取速度,GB/s
4,018.7
16.1
写入速度,GB/s
1,711.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2928
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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