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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,018.7
16.8
写入速度,GB/s
1,711.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3239
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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