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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,018.7
14.1
写入速度,GB/s
1,711.1
9.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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