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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.5
14.0
写入速度,GB/s
8.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2327
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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