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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
65
左右 -242% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
19
读取速度,GB/s
4,018.7
20.4
写入速度,GB/s
1,711.1
17.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3681
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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