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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
126
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
126
读取速度,GB/s
2,929.1
12.9
写入速度,GB/s
2,978.2
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1108
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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