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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,929.1
15.7
写入速度,GB/s
2,978.2
12.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2868
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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