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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
17.8
写入速度,GB/s
7.5
14.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3489
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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