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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,929.1
15.6
写入速度,GB/s
2,978.2
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3038
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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