RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,929.1
16.4
写入速度,GB/s
2,978.2
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3336
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link