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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,929.1
15.1
写入速度,GB/s
2,978.2
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1847
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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