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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,929.1
18.0
写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3034
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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