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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,929.1
19.3
写入速度,GB/s
2,978.2
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3701
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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