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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,929.1
14.2
写入速度,GB/s
2,978.2
9.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2890
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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