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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,929.1
18.6
写入速度,GB/s
2,978.2
15.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3372
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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